Specifikace GDDR7 SGRAM podporuje maximální přenosovou rychlost 48 GT/s, ale první generace paměťových zařízení GDDR7 může pracovat s přenosovou rychlostí až 32 GT/s. Zdá se však, že GDDR7 se bude vyvíjet poměrně rychle, protože na nadcházející konferenci International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) plánují společnosti Samsung i SK hynix podle rozšířeného programu akce diskutovat o svých řešeních GDDR7 s přenosovou rychlostí 42 GT/s.

Společnost Samsung plánuje své 24Gb (3GB) paměťové zařízení GDDR7 s různými vylepšeními, které může podporovat přenos dat rychlostí až 42,5 GT/s, což znamená špičkovou propustnost až 170 GB/s. Toto zařízení má nabídnout citelné zlepšení kapacity a výkonu ve srovnání se stávajícími produkty GDDR7. V současné době společnost vyrábí 16Gb (2GB) paměťové čipy GDDR7, které mohou pracovat rychlostí až 32 GT/s, a poskytují tak špičkovou šířku paměťového pásma 128 GB/s.

V praktických aplikacích může 24Gb paměťový čip GDDR7 s přenosovou rychlostí 42,5 GT/s umožnit výrobcům grafických desek sestavit grafické karty se 48 GB paměti na 512bitovém rozhraní a špičkovou šířkou pásma 2,7 TB/s.

Aby bylo možné u připravovaných zařízení 24Gb GDDR7 SGRAM dosáhnout tak vysoké rychlosti přenosu dat s předvídatelnou spotřebou energie a spolehlivostí, musela společnost Samsung implementovat funkce, jako je nízkoenergetická distribuce hodin pro zápis (WCK) pro energetickou účinnost, vysílač s dvojitou fází optimalizovaný pro odpor/kapacitu pro vysokou integritu signálu a pokročilá vylepšení napětí a časové rezervy pro maximalizaci spolehlivosti a stability výkonu při vysokém zatížení.

Na rozdíl od společnosti Samsung, která podrobně popisuje svůj 24Gb GDDR7 čip, se SK hynix plánuje zaměřit na svůj přijímač PAM-3 s podporou 42 GT/s pro paměťová rozhraní GDDR7. Klíčovou vlastností přijímače je jeho jednostranný hybridní ekvalizér s rozhodovací zpětnou vazbou (DFE), který zajišťuje, že signály procházející paměťovým rozhraním si zachovají svou integritu i za přítomnosti vysokých úrovní šumu, přeslechů a inter-symbolových interferencí (ISI), které se při rychlosti 42 GT/s očekávají.

Tato jednosměrná hybridní DFE je ve skutečnosti klíčovou funkcí, která je nutná pro spolehlivé dosažení vysokých přenosových rychlostí, proto si ji probereme podrobněji.

Dopředné ekvalizéry (FFE) obvykle pomáhají omezit zkreslení signálu způsobené inter-symbolovou interferencí, která vzniká, když se minulé přenášené symboly ruší s aktuálním symbolem. Zatímco FFE je účinný při řešení lineárního ISI (způsobeného frekvenčně závislými ztrátami), je méně účinný při nelineárním ISI (způsobeném odrazy, šumem nebo přeslechy). Nelineární ISI často vyžaduje další techniky, například DFE. Ekvalizéry s rozhodovací zpětnou vazbou (DFE) využívají zpětnou vazbu z dříve dekódovaných bitů (rozhodnutí) k potlačení rušení z dříve dekódovaných signálů.

Hybridní DFE nyní kombinuje FFE a DFE k odstranění lineárního ISI i nelineárního ISI, čímž zajišťuje správnou integritu signálu a předvídatelný výkon při vysokých rychlostech přenosu dat.

Společnost Samsung ani SK hynix neoznámily, kdy plánují vyrobit paměti GDDR7 s přenosovou rychlostí až 42 GT/s. Přesto skutečnost, že o tom obě společnosti plánují diskutovat na nadcházející akci ISSCC, naznačuje, že mají vizi dosáhnout této úrovně výkonu v dohledné budoucnosti.

Zdroj: tomshardware.com

Obrázek: SK hynix

Zdroj: DATACENTER NETWORK NEWS 

Zdroj: ICT NETWORK NEWS