Čínská univerzita dosáhla významného průlomu v oblasti polovodičové technologie. Výzkumníci vyvinuli první 2D GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) tranzistor, který nepoužívá křemík. Místo toho je tento revoluční tranzistor postaven na bázi bismutu.
Tento nový tranzistor, založený na 2D materiálech, slibuje nejen vyšší rychlost, ale také výrazně nižší spotřebu energie ve srovnání s tradičními křemíkovými tranzistory. Podle univerzity je tento bismutový tranzistor „nejrychlejším a zároveň energeticky nejúspornějším tranzistorem současnosti“.
Použití bismutu namísto křemíku otevírá nové možnosti v oblasti miniaturizace a zvyšování výkonu elektronických zařízení. 2D struktura tranzistoru umožňuje efektivnější kontrolu toku elektronů, což vede k vyšší rychlosti a nižší spotřebě. GAAFET architektura, kde je řídící elektroda (gate) obklopena kanálem ze všech stran, dále zlepšuje kontrolu nad tranzistorem a snižuje únik proudu.
Tento objev má potenciál zásadně ovlivnit budoucí vývoj elektroniky. Může vést k vytvoření výkonnějších a energeticky účinnějších procesorů, pamětí a dalších čipů. To by mohlo mít dopad na širokou škálu zařízení, od chytrých telefonů a notebooků až po superpočítače a datová centra.
Ačkoli je technologie zatím ve fázi výzkumu, představuje slibný krok směrem k překonání limitů současných křemíkových technologií. Další výzkum a vývoj budou zaměřeny na optimalizaci a škálování této technologie pro komerční využití.
Zdroj: tomshardware.com
Obrázek: TSMC
Zdroj: RESELLER CHANNEL NETWORK NEWS
Zdroj: ICT NETWORK NEWS
